|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R140D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥584
-
4,684在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R140D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,684在庫
|
|
|
¥584
|
|
|
¥382.4
|
|
|
¥267.2
|
|
|
¥235.2
|
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|
¥230.4
|
|
|
¥190.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
13 A
|
170 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
2.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
46 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R200D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥428.8
-
4,892在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R200D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,892在庫
|
|
|
¥428.8
|
|
|
¥276.8
|
|
|
¥196.8
|
|
|
¥164.8
|
|
|
¥153.8
|
|
|
¥130.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
9.2 A
|
240 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
33 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLR65R270D2XUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥379.2
-
4,928在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLR65R270D2XUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
4,928在庫
|
|
|
¥379.2
|
|
|
¥243.2
|
|
|
¥166.4
|
|
|
¥137.6
|
|
|
¥127.4
|
|
|
¥108.2
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
7.2 A
|
330 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
1.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
28 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R035D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,600
-
302在庫
-
1,800予想2026/03/19
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R035D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
302在庫
1,800予想2026/03/19
|
|
|
¥1,600
|
|
|
¥1,212.8
|
|
|
¥1,011.2
|
|
|
¥900.8
|
|
|
¥801.6
|
|
|
¥801.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R045D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,281.6
-
1,465在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R045D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,465在庫
|
|
|
¥1,281.6
|
|
|
¥872
|
|
|
¥673.6
|
|
|
¥604.8
|
|
|
¥548.8
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R055D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,014.4
-
1,242在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R055D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,242在庫
|
|
|
¥1,014.4
|
|
|
¥776
|
|
|
¥627.2
|
|
|
¥558.4
|
|
|
¥478.4
|
|
|
¥478.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R110D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥702.4
-
1,674在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R110D2ATMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,674在庫
|
|
|
¥702.4
|
|
|
¥468.8
|
|
|
¥360
|
|
|
¥320
|
|
|
¥264
|
|
|
表示
|
|
|
¥275.2
|
|
|
¥257.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
15 A
|
140 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
3.4 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,958.4
-
415在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
415在庫
|
|
|
¥1,958.4
|
|
|
¥1,369.6
|
|
|
¥1,180.8
|
|
|
¥963.2
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
61 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
181 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R035D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,614.4
-
761在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R035D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
761在庫
|
|
|
¥1,614.4
|
|
|
¥1,262.4
|
|
|
¥1,052.8
|
|
|
¥937.6
|
|
|
¥835.2
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
42 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
132 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R045D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,307.2
-
1,388在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R045D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
1,388在庫
|
|
|
¥1,307.2
|
|
|
¥900.8
|
|
|
¥700.8
|
|
|
¥699.2
|
|
|
¥636.8
|
|
|
¥571.2
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
54 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
104 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGOT65R055D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,104
-
730在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGOT65R055D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
730在庫
|
|
|
¥1,104
|
|
|
¥808
|
|
|
¥652.8
|
|
|
¥580.8
|
|
|
¥497.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
|
66 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
6.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
- IGLT65R025D2AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥1,891.2
-
3,635取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IGLT65R025D2AUMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
GaN FET HV GAN DISCRETES
|
|
3,635取寄中
取寄中:
35 予想2026/02/26
1,800 予想2026/03/19
1,800 予想2026/03/26
|
|
|
¥1,891.2
|
|
|
¥1,326.4
|
|
|
¥1,136
|
|
|
¥1,134.4
|
|
|
¥1,020.8
|
|
|
¥926.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
HEMT
|
1 Channel
|
650 V
|
67 A
|
30 mOhms
|
- 10 V
|
1.6 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
219 W
|
Enhancement
|
|