CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ

Infineon Technologies  CoolGaN™ Gen 2 650Vパワートランジスタは、650Vまでの電圧範囲における電力変換用の高効率 GaN(窒化ガリウム)トランジスタ技術を特徴としています。インフィニオン’の窒化ガリウム技術は、エンド・ツー・エンドの大量生産でeモードコンセプトを成熟させます。この先駆的な品質によって最高水準を保証し、最も信頼性の高い性能を備えています。強化モードの CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタは、超高速スイッチングにより、システム効率や電力密度を向上させます。

結果: 12
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,684在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,892在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 4,928在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 302在庫
1,800予想2026/03/19
最低: 1
複数: 1
リール: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,465在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 125 W
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,242在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,674在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 15 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 3.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 415在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 61 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 761在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 42 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 1,388在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 54 mOhms - 10 V 1.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES 730在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 66 mOhms - 10 V 1.6 V 6.6 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FET HV GAN DISCRETES
3,635取寄中
最低: 1
複数: 1
リール: 1,800

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 67 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement