StrongIRFET™ 2パワーMOSFET

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2パワーMOSFETは、Nチャンネル、通常レベル、100%アバランシェ試験済のパワートランジスタMOSFETです。Infineon StrongIRFET 2 MOSFETは、広範なアプリケーション向けに最適化されています。このMOSFETは、VDS の範囲が80V〜100V、RDS(on)の範囲が2.4mΩ〜8.2mΩです。

結果: 74
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,810在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,386在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 2,809在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 95 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,716在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 52在庫
2,000予想2026/03/06
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 580在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 64在庫
800予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 22在庫
2,000予想2026/04/02
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 997在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,121在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 937在庫
1,000予想2026/04/09
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,031在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W 337在庫
1,000予想2026/02/25
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W 1,657在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 93 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 45在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 38在庫
800予想2026/02/24
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 53在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 187 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 124在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 19在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 978在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1在庫
1,000予想2026/03/02
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
2,000予想2026/07/09
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel