HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 724
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
データシート
710在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
データシート
233在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
データシート
744在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 90 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
データシート
262在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
データシート
494在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
データシート
749在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 107 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHT HiperFET 100v, 170A
データシート
1,312在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 80A
データシート
388在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
データシート
224在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 130Amps 200V
データシート
240在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 130 A 16 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 150 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
データシート
991在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
データシート
189在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 70 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
データシート
510在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
321在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 900 V 24 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
データシート
512在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
287在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
データシート
356在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
データシート
296在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 102 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
データシート
295在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
351在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 64A
データシート
375在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
データシート
182在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 16A
データシート
1,706在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
データシート
729在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
データシート
442在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube