MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 657
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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
121在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
データシート
5在庫
3,420取寄中
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
31在庫
最低： 1
複数： 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
データシート
26在庫
最低： 1
複数： 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
データシート
1,175予想2026/04/21
最低： 1
複数： 1

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
データシート
910予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
675予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
470予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
270予想2026/05/20
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics MRAM（磁気抵抗メモリ） M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM（磁気抵抗メモリ） 非在庫リードタイム 18 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000

SPI 4 Mbit M3004401 Reel
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics MRAM（磁気抵抗メモリ） M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM（磁気抵抗メモリ） 非在庫リードタイム 18 週間
最低： 300
複数： 300

SPI 4 Mbit M3004401 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
データシート
非在庫リードタイム 4 週間
最低： 1,365
複数： 455

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
データシート
非在庫リードタイム 4 週間
最低： 1,200
複数： 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
データシート
非在庫リードタイム 4 週間
最低： 1,365
複数： 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 4 週間
最低： 1,008
複数： 168
FBGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
データシート
在庫なし
最低： 1,200
複数： 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
在庫なし
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
データシート
在庫なし
最低： 1,365
複数： 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
データシート
在庫なし
最低： 1,200
複数： 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
在庫なし
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 105 C
データシート
在庫なし
最低： 1,365
複数： 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Tray