BALF-SPI2-02D3

STMicroelectronics
511-BALF-SPI2-02D3
BALF-SPI2-02D3

メーカ：

詳細：
シグナルコンディショニング 50 ohms nominal input / conjugate match balun to S2-LP, 433 - 470 MHz with int
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合計 額:
¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥68.1 ¥68
¥62.5 ¥625
¥58.5 ¥1,463
¥56.6 ¥5,660
¥54.5 ¥13,625
¥52.8 ¥26,400
¥50.2 ¥50,200
完全リール（5000の倍数で注文）
¥42.7 ¥213,500

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: シグナルコンディショニング
RoHS:  
Signal Conditioning
Baluns
433 MHz
50 Ohms
SMD/SMT
Flip-Chip-6
- 40 C
+ 105 C
BALF-SPI2-02D3
Reel
Cut Tape
ブランド: STMicroelectronics
挿入損失: 1.95 dB
取り付け: Board Mount
工場パックの数量: 5000
サブカテゴリ: Filters
タイプ: Ultra-Miniature
単位重量: 23 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8504319000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フランス
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

ワイヤレス接続ソリューション

STMicroelectronics ワイヤレス接続ソリューションは、特定の通信範囲、電力効率、レイテンシ、帯域幅、ネットワーキングトポロジを特徴とするワイヤレス技術製品のポートフォリオです。これらは、利用可能な多くの標準通信プロトコルによって定義された重要なパラメータです。ワイヤレス・センサ・ネットワークとモノのインターネットに関連したデバイスの重要性が高まっており、実質的にワイヤレス接続が不要である電子システムは存在しません。代表的な用途は、ウェアラブル機器、スマートビル、ホームオートメーション、資産追跡ソリューション、または医療機器などの民生用から産業用アプリケーションです。STのポートフォリオには、大半の主要なプロトコルと規格、および独自の無線ソリューションをカバーしている広範な種類のRFソリューションがあります。これには、超低消費電力RFトランシーバ、ネットワーク・プロセッサIC、およびこれらの技術を簡単に迅速に採用するための、予め認証されたワイヤレス・モジュールを始めとする包括的なワイヤレス・システムオンチップの製品ファミリがあります。STワイヤレス製品のポートフォリオは、sub-1GHz長距離ネットワーキング・デバイス（LoRaWAN®、Sigfox、ワイヤレスM-Bus接続を有効にする）、60GHz短距離ミリ波RF、Bluetooth® LE、802-15-4、OpenThread、LTE Cat 1、狭帯域IoTを始めとする最も広範な接続技術に及んでいます。市場投入までの時間を加速するために、ソフトウェアパッケージ、ツール、プロトコルスタック、サンプルアプリケーション、評価ボード、クイックスタートチュートリアルが備わった完全な開発エコシステムとフレームワークとして、リファレンス設計とRFモジュールをご利用いただけます。これは、最も持続可能なワイヤレス技術を用いた、よりスマートで接続された世界に向けた、オールインワン・ソリューションです。

BALF-SPI2-02D3超ミニチュア・バラン

STMicroelectronics BALF-SPI2-02D3超ミニチュア・バランには、整合ネットワークと高調波フィルタが組み込まれています。このバランには、整合インピーダンスが備わっており、ST S2-LPトランシーバ用にカスタマイズされました。BALF-SPI2-02D3は、非導電性ガラス基板にIPD技術が採用されており、RF性能が最適化されています。このバランは、50Ω公称入力、低挿入損失、低振幅不平衡、低位相不平衡、高RF性能、RF BOM、面積削減が特徴です。BALF-SPI2-02D3バランは、433MHzインピーダンス整合バラン・フィルタに最適で、ST S2-LP Sub GHz RFIC用にも最適化されています。

バラントランス

STMicroelectronicsバラントランスは、高品質RFパッシブ・コンポーネントを1枚のガラス基板に集積するSTのプロセスを採用しています。さらに、平衡/不平衡変換だけでなく、マッチングネットワークを1mm2未満のフットプリントに集積し、全機能を実現することも可能です。これらのバランは、STMicroelectronics IPD（統合受動デバイス）技術を活用し、非導電ガラス基板で設計されており、RF性能を最適化できます。これらのバランには、STのトランシーバを対象としたコンパニオン・チップが備わっており、RFの複雑性を大幅に削減しリンク・バジェットを最適化する場合に役立ちます。これらのバラン・トランスには、インピーダンス・マッチング、50Ω公称インピーダンス、高調波フィルタの3機能が統合されています。

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