RF MOSFETトランジスタ

結果: 627
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性 技術 Id - 連続ドレイン電流 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース 動作周波数 ゲイン 出力電力 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Microchip Technology RF MOSFETトランジスタ RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174 非在庫リードタイム 22 週間
最低: 1
複数: 1

N-Channel Si 20 A 130 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Power Trans N-Channel 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 400
複数: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 400
複数: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 400
複数: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. N-Ch Trans 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 400
複数: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. N-Ch Trans 非在庫リードタイム 23 週間
最低: 600
複数: 600
リール: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 100
複数: 100
リール: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 120
複数: 120
リール: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 300
複数: 300
リール: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 300
複数: 300
リール: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 160
複数: 160
リール: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 在庫なし
最低: 100
複数: 100
リール: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 50
複数: 50

Si Bulk


STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz リードタイム 28 週間
最低: 1
複数: 1

Si Bulk
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 50
複数: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ POWER R.F. 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 50
複数: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz リードタイム 28 週間
最低: 1
複数: 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 60
複数: 60

N-Channel Si 8 A 65 V 60 W - 65 C + 200 C Screw Mount M246 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFETトランジスタ N-Ch 65 Volt 4 Amp 非在庫リードタイム 28 週間
最低: 50
複数: 50

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 13 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243-3 Bulk