NexFET電力段IC

Texas Instruments NexFETパワーステージICは、最適化されたドライバICで、デバイスで使用されるデュアルNexFET MOSFETを備えています。これは、典型的な高電流POL設計において、より高い効率性を提供します。超低QgとQgdにより、これらのデバイスは、同じ電力損失対競合他社のデバイスで最大2倍の周波数を実現するより高いスイッチング周波数が可能です。これは、必要となる少ない出力コンデンサに対して改善された過渡応答を実現しています。出力フィルタ（キャップとインダクタ）向けに最大1/2の小型サイズがあります。顧客のレイアウトを簡素化して動作と熱性能を改善する、固有の接地パッドリードフレームとピンアウトがあります。これらは、ボードスペースを節約した典型的なディスクリートソリューションに対して、より小さなパッケージで提供されます。