シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 529在庫
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC 215在庫
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC 150在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール SIC Pwr Module Half Bridge 4在庫
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MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen 1,674在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen 769在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Mod: 1200V 180A (no Diode) 2在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver 87在庫
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 1,277在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY 547在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 20A DPAK 1,331在庫
最低: 1
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: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891在庫
最低: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 325在庫
最低: 1
複数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 40A 262W SIC 80mOhm TO-247N 75在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS 149在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC 867在庫
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複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N 135在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N 450在庫
最低: 1
複数: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS 2,320在庫
450予想2026/09/23
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 6A 600V 599在庫
1,000予想2026/08/12
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC, SBD 650V 12A DPAK 476在庫
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N 5在庫
450予想2026/11/25
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 60在庫
1,350予想2026/10/28
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS 28在庫
450予想2026/07/02
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3