EPC GaN FET

結果: 56
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 チャネルモード トレードネーム
EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2,998在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 80 V 60 A 3.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 9.4 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 2,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT LGA-14 N-Channel 1 Channel 40 V 69 A 1.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17.1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4,084在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 1.7 A 23 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.9 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 1,000在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 500

SMD/SMT Die N-Channel 2-Channel 80 V 30 A 5.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.5 nC, 6.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 12,490在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-4 N-Channel 1 Channel 80 V 1.7 A 80 mOhms - 4 V, 5.75 V 2.5 V 670 pC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 4,960在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-6 N-Channel 1 Channel 15 V 3.4 A 26 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.87 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,412在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 40 V 4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 2,500在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 4 A 130 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 370 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 4,990在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 160 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 360 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
20,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
30,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 133 A 1.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 23 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
15,000予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

SMD/SMT FCQFN-7 N-Channel 1 Channel 200 V 133 A 5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 21 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
15,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 80 V 133 A 1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 28 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
15,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

SMD/SMT QFN-5 N-Channel 1 Channel 100 V 101 A 1.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 17 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
7,500予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-4 N-Channel 1 Channel 200 V 5 A 100 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3
3,000予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT LGA-30 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 1.1 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 25 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
4,998予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

SMD/SMT LGA-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2,500予想2026/05/08
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 2 Channel 100 V 1.7 A 70 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 730 pC, 730 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
2,500予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 5.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
7,500予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 200 V 14 A 22 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
12,500予想2026/04/20
最低: 1
複数: 1
リール: 2,500

SMD/SMT BGA-9 N-Channel 1 Channel 80 V 10 A 20 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 500
リール: 500

SMD/SMT BGA-24 N-Channel 1 60 V 48 A 2.6 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 16 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 12,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT Die N-Channel 1 100 V 9.4 A 10.5 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 4.3 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 5,000
複数: 1,000
リール: 1,000

SMD/SMT LGA-16 N-Channel 1 40 V 80 A 2.25 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12.5 nC - 40 C + 150 Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 5,000
複数: 1,000
リール: 1,000

SMD/SMT N - Channel 1 Channel 100 V 69 A 3.2 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET