STF24N65M2

Name: STMicroelectronics STF24N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF24N65M2
Price: 606 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

511-STF24N65M2

メーカ番号：

STF24N65M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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データシート:

STF24N65M2 データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220FP-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	16 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	185 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	29 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	30 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	25.5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	9.5 ns
シリーズ:	STF24N65M2
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	68 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns
単位重量:	2 g

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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