MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 655
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 メーカ
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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
データシート
275在庫
最低： 1
複数： 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
259在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
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911在庫
1,140予想2026/11/24
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
データシート
2,686在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
データシート
712在庫
2,280予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
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2,448在庫
4,000予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
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327在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
95在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
189在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
117在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
369在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
252在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
156在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
335在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
データシート
47在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
114在庫
最低： 1
複数： 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
データシート
70在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
データシート
67在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T
データシート
38在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
データシート
113在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
データシート
5在庫
3,420取寄中
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Avalanche Technology MRAM（磁気抵抗メモリ） Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
データシート
24在庫
最低： 1
複数： 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
データシート
910予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray