onsemi M2 EliteSiC MOSFET
onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。
特徴
- 電圧 650V、750V、1200V
- パッケージ D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LD
- 最大ゲート-ソース間電圧 +22V/-8V
- 低RDS（on）および高い短絡耐量時間（SCWT）
- 低スイッチング速度アプリケーションを想定し、最低レベルのRDS（on）を実現するように最適化済み
- SuperFET™の代替品として使用可能
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EliteSiCについて
公開: 2023-04-04
| 更新済み: 2024-08-29