Infineon Technologies EVAL-1ED3145MC12H-SIC評価ボード

Infineon Technologies EVAL-1ED3145MC12H-SIC評価ボードは、1ED3145MC12Hシングルチャンネル絶縁型ゲートドライバの性能を実証するために設計されたコンパクトなプラットフォームで、特に高速スイッチング炭化ケイ素（SiC）電力アプリケーションに適しています。Infineon ボードのサイズは 85mm × 56mm × 28mm で、EV の急速充電ステーション、モータードライバ、産業用パワーステージなどの高性能産業システム向けの 6.5A、5.7kV _RMS絶縁ゲートドライバの評価環境として機能します。EVAL-1ED3145MC12H-SIC評価ボードは、ハーフブリッジトポロジーで構成され、幅広い出力電圧±35Vをサポートしているため、現実的なテスト条件で、スイッチング動作、伝搬遅延、保護機能、全体的なドライバ機能を解析することができます。

特徴

EiceDRIVER™ 1ED314xMC12H X3コンパクトファミリゲートドライバICハンモックの評価用として設計
電源端子において900Vの最大遮断能力を備えたハーフブリッジ構成
絶対最大出力電源電圧：35V
最大出力電流：±6.5A（typ.）
出力UVLOレベルを調整することで、SiCMOSFETの保護機能を強化できます。
アクティブ・シャットダウン
非常に高いコモンモード過渡耐性CMTI > 300kV/μs
伝搬遅延：40ns（typ.）
IC間の伝搬遅延の厳密な整合
入力電源電圧：3.3Vおよび5V
沿面距離が>>8mmのPG-LDSO-8ワイドボディパッケージ
ゲートドライバ安全認証
- UL 1577認証、V_ISOテスト = 6840V_RMS（1秒）、V_ISO = 5700V_RMS（60秒）
- V_IORM= 1767V（予定）が備わったIEC 60747-17に準じた強化された絶縁力

Infineon IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiCトレンチ MOSFET、PG-TO247-4（未組立）
オンボード絶縁電源は2EP130RトランスドライバIC で設計されています。
- 4.5V～20Vの広い入力電圧範囲
- 50kHz〜695kHzの広いスイッチング周波数範囲
- 10%〜50%の高精度負荷サイクル調整
- ピーク電流制御ソフトスタート
- 過電流および過熱保護
- ソフトスタートの正常な終了を示す準備信号
測定と構成が簡単
85mm x 56mm x 28mmサイズ

アプリケーション

バッテリエネルギー貯蔵システム（BESS）
産業用モータドライブと制御
モーター制御
EV充電

汎用モータドライブ
DINレール電源ソリューション
太陽光発電

仕様

最大ダイオード保護絶縁電源入力電圧範囲：-0.3V～18V
最大入力側電源電圧範囲：-0.3V～7V
ローサイドゲートドライバの最大正入力範囲：-0.3V～7V
ハイサイドゲートドライバの最大正入力範囲：-0.3V～7V
最大準備電源出力範囲：-0.3V～7V
電源バイパスモードの最大クロック信号範囲：-0.3V～7V
最大DCリンク電圧範囲：-0.2V～900V
最大ハーフブリッジ・ミッドポイント接続範囲：-0.2V～900V
最大出力側正電源電圧範囲：-0.3V～35V
最大出力側負電源電圧範囲：-35V～0.3V

位相ピーク電流：最大100A
最大パルス幅：100μs
100kHzの最大スイッチング周波数
3.3Vの推奨動作条件と電源
- 絶縁電源入力電圧範囲：14.5V～16V
- 入力側電源電圧範囲：3.2V～3.5V
- DCリンク電圧範囲：25V～800V
- 出力側正電源電圧範囲：15V～20V
- 出力側負電源電圧範囲：-5V～0V