Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュール
Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2モジュールは、ハイブリッド車や電気自動車のトラクション用途向けに設計されたコンパクトなパワーモジュールです。Infineon Technologies G2(第2世代)モジュールは、同じモジュールサイズを維持しつつSiまたはSiC技術を使用して性能レベルを拡張できるだけでなく、さまざまなチップセットセットに対応しています。2017年に、シリコンEDT2技術を用いたG1が登場し、実際の運転での効率性が最適化されました。2021年、CoolSiC™ バージョンを投入し、より高いセル密度と優れた性能を実現しました。2023年、750Vおよび1200Vクラスで出力が最大300kWの性能を誇るHybridPACK Drive G2 (第2世代) を発表しました。EDT3 (Si IGBT) およびCoolSiC™ G2 MOSFET技術を搭載し、使い勝手の良さとセンサの統合オプションを実現しています。特徴
- HybridPACK Drive G2 Si IGBT
- 高耐熱化を実現したEDT3 750VおよEDT(1) 1200V技術
- 電流検出を可能にする長いACタブ(オプション
- AC接触抵抗を小さく抑え、タブ厚を増大 (1.5mm)
- ピンリベット改良によって全温度範囲で高い堅牢性を確保
- 直接冷却されるPinFinベースプレート
- 焼結によるダイ取り付け技術
- 温度範囲全体での高い堅牢性
- +175°Cでの連続動作温度および+185°Cでのピークをサポート(FS1150、FS1300)
- >900ARMS 連続が可能(Gen1 ~ 550ARMS)
- 熱伝導率の向上
- 特に過酷な環境での耐久性が向上
- HybridPACK Drive G2 SiC
- ATV CoolSiC™ Trench MOSFET Gen2
- 強化されたパッケージ(焼結、性能セラミック)
- 直接冷却されるPinFinベースプレート
- 温度+175°Cでの連続した動作をサポート
- ピーク時温度+190°Cでの動作をサポート
- 改善されたピンリベット
- 温度範囲全体での高い堅牢性
- 電流検出を有効にするための長いACタブ(オプション)
- より小さなAC接触抵抗と低いタブ温度
- 優れたゲート酸化物と余弦線の信頼性
- スケーラブルなインバータプラットフォーム開発が可能
- 第2/3世代によってインバータ損失を低減 vs. 最先端のIGBTソリューション
- 強化製品でピーク電流最大900ARMS で動作
アプリケーション
- 自動車
- (ハイブリッド) 電気自動車 (H)EV
- モータドライブ
- CAV
ビデオ
ポートフォリオ
パッケージの強化
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| 部品番号 | データシート | 説明 |
|---|---|---|
| FS1150R08A8P3CHPSA1 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール HybridPACK Drive G2 module |
| FS01MR08A8MA2CHPSA1 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
| FS1000R08A7P3BHPSA1 | ![]() |
MOSFETモジュール HybridPACK Drive G2 module |
| FS410R12A7P1BHPSA1 | ![]() |
MOSFETモジュール HybridPACK Drive G2 module |
| FS1150R08A8P3LMCHPSA1 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS01MR08A8MA2LBCHPSA1 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
| FS520R12A8P1LBHPSA1 | ![]() |
IGBT モジュール HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | ![]() |
ディスクリート半導体モジュール HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
公開: 2024-05-09
| 更新済み: 2025-09-25

