Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2シリコンカーバイドMOSFET
インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 400V G2 炭化ケイ素（SiC）MOSFETは、ハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジに最適です。本製品は、AIサーバー用電源ユニット（PSU）のAC/DC段での使用に特化して開発されており、太陽光発電やエネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションにも理想的です。CoolSiC MOSFETは、最先端のtrench半導体プロセスで構築されており、アプリケーションでの最低レベルの損失と動作での最高レベルの信頼性の両方を実現できるように最適化されています。
特徴
- 高周波スイッチングと同期整流に最適
- 低デバイス容量
- 整流に対して堅牢な、低Qfr 高速ボディダイオード
- 温度依存性の低いRDS(on)
- ベンチマークとなる4.5Vのゲート閾値電圧 VGS(th)
- クラス最高のスイッチング損失および導通損失
- 。クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術
- +18V IGBT互換駆動
- 閾値フリーのオン状態特性
- 冷却作業を軽減するための高効率
- 長寿命と高い信頼性
- 増大した電力密度
- 0V ～ 18V推奨ゲート駆動電圧範囲
- 温度に依存しないスイッチング損失
- 優れたゲート酸化物信頼性
- PG-TO263‑7および PG-HSOF-8 パッケージオプション
- 動作接合部温度範囲: -55°C～175°C
- 短絡およびアバランシェ堅牢性、100%アバランシェ試験済
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチモード電源（SMPS）
- エネルギー貯蔵、無停電電源（UPS）、バッテリ形成
- ソーターPVインバータ
- クラスDオーディオ
- モータドライブ
アプリケーションノート
- AN_1909_PL52_1910_201256 - 絶縁ゲートドライブソリューション：絶縁型ゲートドライバICによる電力密度の向上と堅牢性の強化
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開発ツール
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TOLLおよびD2PAK-7パッケージのCoolSiC™ MOSFET 400V/650V G2の評価を可能にします。
公開: 2024-08-16
| 更新済み: 2025-12-15