Infineon Technologies SMPS高電力トポロジ

Infineon Technologies SMPS高電力トポロジは、400W以上の電源用途に適しています。AC / DC整流器のフロントエンドステージに続いて、DC/DCパワーコンバータは、バス電圧の降圧と電気的に絶縁されしっかりと調整されたDC出力（例えば12V、24V、48V）を実現するために必要とされます。絶縁トポロジにはさまざまな種類がありますが、位相シフトのフルブリッジコンバータは、プライマリスイッチの固有ゼロ電圧スイッチングなど、より高電力アプリケーションに最適です。

電力損失、電源デバイスの選択、受動部品を決定するために必要な計算を簡略化するActive Designファイルを使用して、電源設計を短縮してください。 これらの作業文書は、MathCad Expressで作成、実行が可能であり、それぞれのトポロジの基本を説明するデザインノートの内容をミラーリングしています。すでにMathCad がマシンにインストールされている場合は、システム要件とコンポーネントの仕様の緑と橙のフィールドによって指定されたユーザ入力領域の.mcdxファイルを開くだけです。
フルブリッジ電流ダブラー600W Express.mcdx

Infineon Technologies CoolMOS CPパワーMOSFETシリーズは、指定されたパッケージで、出力容量に格納されている超低全ゲート電荷と非常に低いエネルギーにおいて、ドレインソースのオン抵抗（R_DSオン）の劇的な減少を提供することで、システムの小型化と効率向上の要求を満たしています。CoolMOS CPシリーズのターゲットアプリケーションは、サーバーや通信電力供給、ノートブックアダプタ、LCD TV、ATXとゲームの電源供給と照明バラストです。

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ThinQ!™第5世代は、SiCショットキーバリアダイオード向けのInfineonの最先端技術を表しています。さらに小型化されたデザインと薄ウェーハ技術のおかげで、製品の新しいファミリは、熱特性が改善し、性能指数が低くなったため（Q_c x V_f）、全ての負荷条件にわたって効率が向上しました。新しいthinQ!™第5世代は、弊社の650V CoolMOS™ファミリを補完するために設計されました。これにより、この電圧範囲で最も厳しいアプリケーション要件を満たすことが保証されています。

IDW12G65C5のデータシート
IDW10G65C5のデータシート
Infineon Generation 5 SiCバリアダイオードの詳細

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• 革新的な半導体材料 - シリコンカーバイド
• ベンチマーク切替動作
• 逆方向リカバリなし/順方向リカバリなし
• 温度に依存しない切替特性
• 高サージ電流能力
• 鉛フリーめっき加工、RoHS準拠
• ターゲットアプリケーションに関するJEDEC承認済
• 高温操作用に最適化済
• Siダイオード経由のシステム効率向上

• 冷却要件削減によりシステムコスト/サイズを節約
• 高周波数/電力密度ソリューションの増大が可能
• より低い動作温度による、より高いシステム信頼性
• EMI低減

• スイッチモード電源
• 力率補正
• ソーラーインバータ

InfineonICE3PCS01G PFCコントローラは、アクティブ力率補正コンバータ用の、14ピンで広い入力範囲のコントローラICです。ブーストトポロジにおけるコンバータ用に設計されており、数少ない外付け部品で済みます。電源は、ICをスイッチオン/オフする外部補助供給によって提供されることが推奨されます。

• 連続電流動作モードPFC
• 広い入力範囲: V_cc up to 25V
• 入力ラインと出力電力条件に従ってプログラム可能なブーストフォロワ段レベル
• 入力電流歪みのない強化された動的応答
• 正確なブラウンアウト保護しきい値
• ユーザーのより高い柔軟性のための外部電流ループ補償
• オープンループ保護
• 第2オーバーバルク電圧保護
• PFCイネーブル機能
• 別途の信号と電源グランドピン
• 最大負荷サイクル95%（標準）

データシート

プライマリMOSFET

CoolMOSは、Infineon Technologiesスーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計・導入した、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術です。650V CoolMOS CFD & CFD2シリーズは、SJ MOSFETの代表的なサプライヤーの一流イノベーションに関する体験を組み合わせています。結果として生じるデバイスは、極めて高速かつ堅牢なボディダイオードを提供すると同時に、高速切替SJ MOSFETのメリット全てを実現しています。この極めて低い切替、整流、電動損失を最高の堅牢性と一緒に組み合わせたことにより、特に共振切替アプリケーションの信頼性をより高め、より効率的に、さらに軽量かつ低温にしています。

IPW65R310CFDのデータシート
IPW65R190CFDのデータシート
Infineon CoolMOSパワートランジスタの詳細

• 高速ボディダイオード
• 非常に高い整流耐久性
• 非常に低いFOM RDS（オン）*QgおよびEOSSのために極めて低いロス
• 使用/駆動が容易
• JEDECに準じた工業用グレードアプリケーションに対する認定（J-STD20 and JESD22）

• PC Silverbox、液晶テレビ、照明、サーバー、通信用の共振型切替PWMステージ

2次MOSFET

Infineon NチャンネルOptiMOS™パワーMOSFETは、最高の電力密度とエネルギー効率の高いソリューション向けの、クラスをリードするパワーMOSFETです。Infineon NチャンネルOptiMOS™パワーMOSFETは小型フットプリントパッケージで、非常に低いゲート電荷、出力電荷とオン状態の最低抵抗を実現しており、サーバー、データコム、テレコムアプリケーションといった要求の厳しい電圧調整ソリューションに最適です。低EMI同期FETと超高速切替制御FETにより、設計が容易なソリューションとなっています。Infineon NチャンネルOptiMOS™パワートランジスタは、優れたゲート電荷を提供し、DC-DC変換用に最適化されています。

データシート
Infineon OptiMOSパワーMOSFETの詳細

• 同期整流用に最適化された技術
• 高周波切替およびDC/ DCコンバータに理想的
• 卓越したゲート充電x R_{DS（オン）}製品（FOM）
• 非常に低いオン抵抗R_DS(on)
• Nチャンネル、標準レベル
• 100%アバランシェ試験済み
• 鉛フリーめっき、RoHS準拠、ハロゲンフリー
• ターゲットアプリケーションに関するJEDEC承認済

• サーバー用オンボード電源
• 高性能コンピューティング用の電源管理
• 同期整流
• 負荷コンバータの高電力密度ポイント