Infineon Technologies IRF540N/Z 高度な HEXFET® パワー MOSFET

インターナショナル・レクティファイアーのIRF540N/Z Advanced HEXFET®パワーMOSFETは、シリコン部分の超低オン抵抗を実現する高度な処理技術を活用しています。このメリットが高速スイッチング、耐久性を高めたデバイス設計、175°Cの接合部動作温度（HEXFETパワーMOSFETではこの特性が有名です）と結びつくことで、設計者にとっては極めて効率的で信頼性の高いデバイスとなり、幅広い用途への応用が可能になります。