IXYS 60V TrenchT3 HiPerFETパワーMOSFET

IXYS 60V TrenchT3^™ HiPerFET^™パワーMOSFETは、産業用電力変換アプリケーション用に設計された、超低オン抵抗の頑丈なデバイスです。TrenchT3 HiPerFET MOSFETには、最低3.1mΩのオン抵抗が備わっており、最大175°Cの接合部温度に耐えることができ、高アバランシェ電流レベルでの定格アバランシェ定格があります。TrenchT3 HiPerFETパワーMOSFETの高電流通電能力のおかげで、複数のデバイスを並列接続する必要はありません。これによって電力システムが簡素化され、同時にその信頼性が向上しています。さらに、TrenchT3 HiPerFET MOSFETの高速真性ボディダイオードは、特に高速スイッチング時に高効率を達成する上で役立ちます。IXYS 60V TrenchT3 HiPerFETパワーMOSFETは、TO-220、TO-263、TO-247国際標準サイズパッケージでご用意があり、設計の柔軟性を目的としています。