IXYS HiPerFETおよびMOSFETパワーデバイス
IXYS HiPerFETおよびMOSFETパワーデバイスは、同等な従来のパワーモジュールに比べて大幅な軽量化(標準50%)を実現したSMPDパッケージで供給されます。この特長により設計者は、軽量なパワーシステムを作成できます。小型薄型パッケージ特性によって複数のデバイスに同じヒートシンクを使用できるため、PCB領域を節約できます。さらなる小型化と軽量化のメリットの追加とは、特にポータブル機器で使用する場合に振動や重力に対する保護が向上することです。このメリットによって、デバイスの平均寿命と信頼性も向上しています。
特徴
- 超低背でコンパクトなパッケージ
- スタンダードのリフロープロセスでの表面実装に対応
- 低パッケージ重量
- 最高4500Vセラミック絶縁(DCB)
- 低パッケージインダクタンス
- 優れた熱性能
- ハイパワーサイクリング機能
- 構成
- バック
- ブースト
- フルブリッジ
- ハーフブリッジ
- 位相レッグ
- シングル
アプリケーション
- バッテリ充電器
- スイッチングと共振電源
- DCチョッパ
- DC/DCコンバータ
- 温度と照明制御
- モータドライブ
- 電動バイクと電気自動車およびハイブリッド車
- ソーラーインバータ
- IHヒーター
関連製品
従来の パワーモジュールを大量に置き換える場合に最適な超低背のコンパクトな機器です。
High-current HiPerFET™ power MOSFETs for hard switching & resonant mode applications.
公開: 2020-03-03
| 更新済み: 2024-05-23