IXYS パワーMOSFET

IXYS パワーMOSFETは、100 MHz未満のRFアプリケーション、リニアアプリケーション、および高電力、高周波数、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。これらのパワーMOSFETは、幅広い市場ニーズ、電気設計要件、機械および実装仕様向けにさまざまな標準工業パッケージオプションで利用可能です。

特徴

  • RFおよび高速スイッチング向けに最適化済
  • 高電力密度
  • 簡単な取付、絶縁体は不要
  • 優れた熱伝導
  • 100V~1200Vの電圧(VDSS)範囲
  • 9A~60Aの電流(ID)範囲
  • RDSON 0.038Ω~7.8Ω
  • 動作モードオプション:
    • スイッチング
    • リニア
公開: 2017-10-13 | 更新済み: 2022-03-31