IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBT

IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBTは、独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発されました。これらの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタは、熱抵抗の削減、低エネルギー損失、高速スイッチング、低テール電流、高電流密度が特長です。デバイスには、スイッチング時および短絡状態の下での比類のない耐久性があります。

これらのスルーホールIGBTは、最大1200Vの逆バイアス安全動作領域（RBSOA：Reverse Bias Safe Operating Area）も備えているため、スナバレスのハードスイッチングアプリケーションに最適です。超低V_sat IGBTは、最大5kHzのスイッチングが可能です。IXYS XPT第4世代Trench IGBTは、正コレクタ・エミッタ電圧温度係数に対応しています。この特長によって複数デバイスを並列接続して使用可能になり、高電流要件および低ゲート電荷に適合できるため、ゲート駆動要件の削減とスイッチング損失の削減につながります。

主なアプリケーションは、バッテリチャージャ、照明器具のバラスト、モータドライブ、パワーインバータ、力率補正 (PFC) 回路、スイッチモード電源 (SMPS)、無停電電源 (UPS)、溶接機などです。

特徴

独自のXPT薄ウェハー技術および最先端の第4世代 (GenX4™) Trench IGBTプロセスを使用して開発
低オン状態電圧 - V_CE(sat)
5kHz最大スイッチング
V_CE(sat) の正熱係数
高速スイッチング (最大60kHz) 向けに最適化済
短絡機能（10µs）

スクエアRBSOA
超高速逆並列ダイオード（Sonic-FRD™）
ハードスイッチング機能
高電力密度
ダイオード順方向電圧V_F の温度安定性
低ゲートドライブ要件
国際規格パッケージ

アプリケーション

バッテリ充電器
ランプバラスト
モータドライブ
パワーインバータ

PFC回路
SMPS
UPS
溶接機器

仕様

共通
- 1,200V V_CES
- 20A I_C110
IXYA20N120A4HV
- ≤1.9V V_CE(sat)
- 160ns t_fi(typ)

IXYA20N120B4HV
- ≤2.1V V_CE(sat)
- 90ns t_fi(typ)
IXYA20N120C4HV
- ≤2.5V V_CE(sat)
- 58ns t_fi(typ)

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部品番号	データシート	説明
IXYH100N65C5		IGBT 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
IXYA50N65C5		IGBT 650V, 50A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-263
IXYP48N65A5		IGBT 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-220
IXYA48N65A5		IGBT 650V, 48A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
IXYA55N65B5		IGBT 650V, 55A, XPT Gen5 B5 IGBT in TO-263
IXYH85N120A4		IGBT TO247 1200V 85A XPT
IXYK140N120A4		IGBT TO264 1200V 140A GENX4
IXXX160N65B4		IGBT 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IXXH110N65C4		IGBT 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IXXH80N65B4		IGBT 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

公開: 2020-02-26 | 更新済み: 2024-05-23

IXYS Trench 650V～1200V XPT™ GenX4™ IGBT

特徴

アプリケーション

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