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60V、900mAのノーマリオープンリレーで、5000Vの絶縁および高速スイッチング性能を備えています。
3mm×3mmの小型8ピンDFNパッケージに封入された、非絶縁型で動作電流の小さいリレーです。
セラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。
100V高周波数ハイサイドおよびローサイドゲートドライバで、統合ブートストラップダイオードが備わっています。
ローサイド、ハイサイド、ハイサイド&ローサイド、光絶縁型MOSFETおよびIGBTゲートドライバ
光結合MOSFETを使用して、5000Vrmsという強化された入力/出力間の絶縁を実現しています。
1500Vrmsの入力対出力間の絶縁を実現しています。
高電圧スイッチングアプリケーションを対象とした低電荷注入の集積回路(IC)です。