IXYS
IXYS Corporation は、パワーマネジメント半導体のグローバルサプライヤーで、広範なパワーMOSFET、IGBT、バイポーラ、混合信号ICソリューションを備えており、広範なパワーシステムアプリケーションにおける効率性の向上とエネルギーコストの削減を実現しています。
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IXYS X4-Class Power MOSFETsOffer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.2026/02/02 -
IXYS DP高電圧、高速回復ダイオード600Vまたは1200VSCHOTTKYダイオードで、低逆電流リーク電流と高速回復時間を備えています。2026/01/20 -
IXYS CPC1343G OptoMOS® ソリッドステートリレー60V、900mAのノーマリオープンリレーで、5000Vの絶縁および高速スイッチング性能を備えています。2025/12/10 -
IXYS CPC1601M 1-Form-Aソリッドステートラッチングリレー非絶縁・低動作電流リレーで、小型3mm x 3mm 8ピンDFNパッケージに統合されています。2025/10/29 -
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4クラス パワーMOSFETセラミックベースの絶縁型パッケージにより、全体的なRth(j-s) と電力処理能力が向上しています。2025/10/08 -
IXYS IXSxNxL2Kx炭化ケイ素（SiC）MOSFETこれらのデバイスは高阻止電圧および低オン状態抵抗（RDS(ON)）を備えています。2025/09/19 -
IXYS IX4352NEAU ローサイドゲートドライバSiC MOSFETおよびハイパワー IGBTを駆動するために特別に設計されています。2025/09/04 -
IXYS IXSJxN120R1K 1,200V SiCパワーMOSFET最高1200Vまでの阻止電圧で、18mΩまたは36mΩ低RDS (on) が備わっています。2025/08/27 -
IXYS CPC1056N 75mA常開リレー双方向単極ソリッドステートリレーで、4ピンSOPパッケージに収められています。2025/08/14 -
IXYS IX3407B絶縁型シングルチャンネル・ゲートドライバ個別の出力ピンで7A（代表値）のソースおよびシンク・ピーク出力電流を提供します。2025/06/30 -
IXYS Dxシリーズ車載用シリコン整流器ガラス不動態化接合部が特徴で、安定した動作と高い信頼性が保証されます。2025/04/14 -
IXYS DCK SiCSCHOTTKYダイオード高周波動作および高サージ電流対応を特長としています。2025/04/03 -
IXYS IXD0579Mゲート ドライバー100V高周波数ハイサイドおよびローサイドゲートドライバで、統合ブートストラップダイオードが備わっています。2025/04/03 -
IXYS MCMA140PD1800TBサイリスタダイオードモジュール平面不動態化チップと統合された140Aダイオードモジュールで、長期安定性が備わっています。2025/03/25 -
IXYS IXFP34N65X2WパワーMOSFET650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。2025/03/17 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET1,200V、 80mΩ 、41A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。2025/03/06 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET1,200V、 30mΩ 、79A工業グレードデバイスが特徴のシングルスイッチMOSFETで、TO263-7Lパッケージに収められています。2025/03/06 -
IXYS IXFH46N65X2WパワーMOSFET650V、69mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。2025/02/27 -
IXYS IXFH34N65X2WパワーMOSFET650V、100mΩ、X2 Class HiPerFET™ パワーMOSFETで、Nチャンネル拡張モードが備わっています。2025/02/27 -
IXYS IXD2012Nゲート ドライバー高圧側および低圧側の高速ゲートドライバは、ブートストラップ動作で最大200Vを切り替えます。2025/02/18 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、80mΩ、41A MOSFETです。2025/02/18 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET工業スイッチモード電源での使用に推奨される1,200V、30mΩ、79A MOSFETです。2025/02/18 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC MOSFET電圧定格200V、電流範囲340A ~ 500A、SOT-227Bパッケージに収められています。2024/11/28 -
IXYS DPF100C1200HB 1,200V、2x 50A高速リカバリダイオード2つの汎用パワースイッチングダイオードで、コモンカソード構成になっており、TO-247パッケージに収められています。2024/11/22 -
IXYS 第5世代XPT IGBT650Vの定格電圧、35A～220Aの電流範囲、低ゲート電荷が備わっています。2024/07/25