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1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
1200V、35mΩ、67AのSiC MOSFETで、産業用スイッチモード電源への使用に最適です。
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
マイクロプロセッサドライブに対応し、高いノイズ耐性を備えた高感度SCR。
省スペース設計で、自動実装に適しており、DC位相制御アプリケーションに最適です。
安定性を向上させるガラスパッシベーション接合を採用し、DO-214ABパッケージに実装されています。
