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Infineon Technologies CoolGaN™ G3トランジスタ

インフィニオン (Infineon) CoolGaN™G3トランジスタは、高電力密度アプリケーションにおいて優れた性能を発揮するよう設計されています。これらのトランジスタは非常に低いオン状態抵抗を特徴としており、効率的なパワー変換とエネルギー損失の低減を可能にします。4つの電圧オプション（60V、80V、100V、120V）を利用可能なCoolGaN G3 トランジスタは、超低ゲート/出力電荷による超高速スイッチングを実現します。また、本トランジスタは、熱管理を強化し、両面冷却をサポートするコンパクトなPQFNパッケージに収められており、過酷な条件下でも信頼性の高い動作を保証します。これらの特長により、CoolGaN G3 トランジスタは、通信、データセンター用電源、および産業用パワーシステムなどのアプリケーションに最適な選択肢となります。

特徴

  • 超高速スイッチングと高効率
  • 省スペースで非常に堅牢なパッケージ
  • 逆回復電荷不要
  • 超低ゲートおよび出力電荷
  • トップクラスの熱卓越性のための露出ダイ
  • 感湿性レベル(MSL) 1
  • 産業グレード3mmx5mm PG-TSON-6 パッケージ
  • JEDEC規格準拠の産業用アプリケーションとして認定済み
  • リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • バッテリ駆動ツール
  • eモビリティとUAV
  • ロボティクスとドローン
  • 太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム
  • 通信およびデータセンター
  • 低消費電力SMPS
  • AC/DCおよびDC/DCコンバータ向け同期整流

仕様

  • 最大連続ドレイン・ソース間電圧：60V、80V、100V、または120V
  • 45W最大電力損失
  • パルス最大ゲート・ソース間電圧：±6.5V
  • ゲートソース電圧範囲：-4,0V～5.5V
  • ゲート閾値電圧範囲：1.2V～2.9V
  • 標準ゲート抵抗：0.5Ω
  • ドレイン・ソース間最大オン抵抗範囲：1.9mΩ～3.7mΩ
  • 静電容量
    • 最大入力範囲: 1,100pF～1,700pF
    • 最大出力範囲: 550pF～770pF
    • 最大逆方向転送範囲：6.4pF～22pF
  • 標準ゲート電荷
    • 2.7nC ~ 4.0nCゲート－ソース間充電範囲
    • 閾値範囲でのゲート電荷：2.9nC～2.0nC
    • ゲート－ドレイン充電範囲：2.3nC～3.6nC
    • スイッチング充電範囲: 3.0nC～4.7nC
    • ゲート電荷合計範囲：10nC～13nC
    • ゲートプラトー電圧範囲：～2.7V2.8V
    • 出力充電範囲：37nC～49nC
  • 逆動作
    • 最大逆連続電流範囲：15A～16A
    • 最大逆パルス電流範囲：284A～396A
    • 最高ソース－ドレイン電圧：3.4V
    • 0nC (typ)逆回復電荷
  • ジャンクション温度範囲:-40°C～++150°C
  • 熱抵抗
    • 0.6°C/W (最大）接合部－ケーストップ
    • 2.8°C/W最大接合部－ケースボトム
    • 60°C/W (標準）接合部－周囲1s0p
    • 38°C/W (標準）接合部－周囲2s2p

寸法

機械図面 - Infineon Technologies CoolGaN™ G3トランジスタ

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部品番号 データシート 説明
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 データシート GaN FET CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
IGB070S10S1XTMA1 IGB070S10S1XTMA1 データシート GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 データシート GaN FET CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 データシート GaN FET CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 データシート GaN FET CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 データシート GaN FET MV GAN DISCRETES
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 データシート GaN FET MV GAN DISCRETES
IGC033S10S1XTMA1 IGC033S10S1XTMA1 データシート GaN FET MV GAN DISCRETES
公開: 2025-03-31 | 更新済み: 2026-01-15