Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタ
Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650Vパワートランジスタは、650Vまでの電圧範囲における電力変換用の高効率 GaN(窒化ガリウム)トランジスタ技術を特徴としています。インフィニオン’の窒化ガリウム技術は、エンド・ツー・エンドの大量生産でeモードコンセプトを成熟させます。この先駆的な品質によって最高水準を保証し、最も信頼性の高い性能を備えています。強化モードの CoolGaN™ Gen 2 650V パワートランジスタは、超高速スイッチングにより、システム効率や電力密度を向上させます。特徴
- 強化モードトランジスタ、通常オフスイッチ
- 超高速スイッチング
- 逆回復充電不要
- 逆導通可能
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- 優れた整流耐久性
- システム効率の改善
- 電力密度を向上
- 高動作周波数を実現
- システムコスト削減
- EMIを減少
- パッケージのオプション
- PG-DSO-20
- PG-HDSOP-16
- PG-TSON-8
- ESD (HBM/CDM) JEDEC規格
- リードフリー、ハロゲンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 産業/電力
- ハーフブリッジトポロジーに基づく充電器およびアダプタ(トーテムポールPFC、高周波LLCなどのハード、ソフト切り替え用ハーフブリッジトポロジー)
- 電気通信機器
- データセンター用SMPS
仕様
- 1.6Vゲート・ソース間閾値電圧
- ゲート・ソース間電圧 -10V
- ドレイン・ソース破壊電圧:650V
- ゲート電荷範囲:1.4nC~16nC
- 30mΩto330mΩRDS オンドレイン-ソース抵抗範囲
- 連続ドレイン電流範囲:7.2A~67A
- 許容電力損失範囲:28W~219W
- 動作温度範囲: -55°C~+150°C
ビデオ
公開: 2024-11-05
| 更新済み: 2025-09-30
