Infineon Technologies CoolGaN™窒化ガリウムHEMT
Infineon CoolGaN™窒化ガリウムHEMTには、シリコンにおいて比類のない効率性、信頼性、電力密度、最高クラスの品質といった優れた利点があります。CoolGaNトランジスタは、最も信頼性の高い技術で構築されており、最高レベルの効率性と電力密度を対象に設計されており、スイッチ・モード電源になっています。これらのデバイスは、p-GaNゲート構造が採用されている拡張モード・ゲート・ドライブ・バイアスによって、従来のシリコンMOSFETと同様に動作します。
Infineon CoolGaNの品質は、ハードおよびソフト・スイッチング・トポロジに最適です。CoolGaNによって、ロッシー入力ブリッジ整流器の除去を始めとし、PFC向けのさらに簡単なハーフブリッジ・トポロジの適応が可能です。CoolGaN HEMTは、優れた高速スイッチングが可能になる半導体機器を対象に、さらなる高電場を実現しています。
特徴
- 600Vパワーデバイスのメリット指数
- 優れたハードおよびソフト・スイッチング・トポロジ
- 電力密度の3倍の増加を達成可能
- 電源オン/オフ用に最適化済
- 革新的なソリューションと大量技術
- SMPS向け最高効率
- 表面実装パッケージングによって、GaNのスイッチング機能の完全アクセスを保証
- 魅力的なで使用が簡単なドライバICポートフォリオ
アプリケーション
- サーバ
- 電気通信
- ワイヤレス充電
- アダプタと充電器
ビデオ
FBトーテムポールの図
成功の4つの柱
認定図
SMPS図
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ホワイトペーパー
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公開: 2018-10-26
| 更新済み: 2024-05-07