Infineon Technologies Eval-1ED3144MC12H-SiC評価ボード
Infineon TechnologiesEval-1ED3144MC12H-SiC評価ボードを使用すると、ハーフブリッジ構成の1ED3144MC12HEiceDRIVER™絶縁ゲートドライバICのデモができます。ゲートドライバICを交換することで、他のEiceDRIVER1ED314xMC12Hゲートドライバファミリのピン互換ICを評価できます。
Infineon TechnologiesEval-1ED3144MC12H-SiC評価ボードには、TO247-4パッケージに収められた組み立てられていないIMZA120R020M1HCoolSiC™1,200VSiCトレンチMOSFETが 2 つ、付属しています。スイッチは、Infineon IGBT、クールSiC、CoolMOS™トランジスタなどの、希望する別のスイッチで代用できます。
特徴
- 絶対最大出力電源電圧：35V
- 最大出力電流：±6.5A（typ.）
- バイポーラ電源電圧で最適な保護を実現する、GND2ピンを基準とした出力UVLO
- アクティブシャットダウン
- 300kV/us超と非常に高いコモンモード過渡耐性 CMTI
- 伝搬遅延：40ns（typ.）
- IC間の伝搬遅延の厳密な整合
- 入力電源電圧：3.3Vおよび5V
- 沿面距離が>>8mmのPG-LDSO-8ワイドボディパッケージ
- ゲートドライバ安全認証:
- UL 1577規格適合 ViSo,test = 6840V (rms) (1s)、 Viso = 5700V (rms) (60s)
- 絶縁を強化し、IEC 60747-17準拠、V IORM = 1767V（予定）
アプリケーション
- 太陽光発電インバータ（PV）
- エネルギーストレージおよびバッテリ充電
- 無停電電源装置 (UPS)
- スイッチモード電源（SMPS）
- 工業用ドライブ
- 医療用
キット内容
- Eval-1ED3144MC12H-SiC用評価ボード
- 未組み立てのIMZA120R020M1HCoolSiC™1,200VSiCトレンチMOSFET2つ
関連するMOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SIC Trench MOSFET
アプリケーション において 最も低い損失を実現し、運転において 最高レベルの信頼性を実現するように最適化されています。
評価ボード
Infineon Technologies EVAL-DCLINK-DPT 評価ボード
IGBTやSiC MOSFETなどのパワー半導体デバイスのダブルパルステスト（DPT）に対応します。
ブロック図
公開: 2026-01-28
| 更新済み: 2026-02-02