Infineon Technologies FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™ 3レベルIGBTモジュール

Infineon Technologies FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™ 3レベルIGBTモジュールは、950V、200Aデュアルブーストモジュールで、1200V CoolSiCダイオード、TRENCHSTOP IGBT7、NTC、PressFIT接触技術が採用されています。FS3L200R10W3S7F_B11は、PressFITピンを用いたベースプレートのない設計になっています。F3L400R10W3S7F_B11およびF3L400R10W3S7_B11が組み合わされており、1500V 3相PVストリング・インバータを対象としたトータル・ソリューションを実現しています。

特徴

  • 極めて低いスイッチング損失とソフトなターンオフ動作が備わったS7
  • 1200V CoolSiC™ダイオードによってIGBTのスイッチング損失を低減
  • 1つのモジュールでのデュアルブーストトポロジ、3つのMPPT回路
  • バイパスダイオードと逆極性保護ダイオードは、各MPPT回路に統合
  • CTI>400
  • Rthjhを削減する革新的な機械的概念
  • Tvj op = 150°C
  • ベースプレートのない設計
  • PressFITピン

標準アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™ 3レベルIGBTモジュール
公開: 2021-09-18 | 更新済み: 2022-03-11