Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1Hモジュール

インフィニオン (Infineon) 1200V CoolSiC™ M1H モジュールは、EV充電およびその他のインバータ設計者に対し、これまでにない効率と電力密度のレベルを達成する機会を提供します。

シリコンカーバイド(SiC)半導体をスイッチとして使用すると、高い信頼性を維持しながらより高い動作温度とスイッチング周波数を可能にすることで全体的なシステム効率が向上します。インフィニオン (Infineon) 1200V SiC MOSFET モジュールファミリは、最先端のトレンチ設計により、優れたゲート酸化膜の信頼性を提供します。

これらのパワーモジュールは、さまざまなアプリケーションのニーズに合わせて調整可能な業界標準のEASY パッケージに収められており、幅広いR_DSon レベルおよび回路構成（3レベル、ハーフブリッジ、またはシックスパックなど）で入手可能です。すべてのEasyPACK™ およびEasyDUAL™ MOSFET パワーモジュールは、あらかじめ熱伝導材料（TIM）を塗布した状態で注文することが可能で、追加の機能も用意されています。高性能な窒化アルミニウム（AlN）セラミックを採用したEASY モジュールは、特にR_thJH の熱性能を向上させます。

ワイドバンドギャップ炭化ケイ素（SiC）半導体の利点は、シリコン（Si）と比較してより高い破壊電界、より優れた熱伝導性、より高い電子飽和速度、およびより低い真性キャリア濃度によって生み出されます。SIC MOSFETは、これらのSIC材質の利点に基づいており、オフ/オンボード電気自動車 (EV) 充電器用のソーラーインバータなど、高電力アプリケーションを対象としたスイッチング・トランジスタに使用されます。

メリット

  •  高周波動作
  •  電力密度の向上
  •  最高効率により冷却負荷を低減
  •  システムコストと運用コストの削減
  •  動作条件の拡大とパワーサイクル耐量の向上

特徴

Siに比べてスイッチング損失が約80%低い
優れたゲート酸化物信頼性
低い逆回復電荷を持つボディダイオードを内蔵

高い閾値電圧（V_th）：> 4V
強化された熱放散能力

アプリケーション

高速EV充電
太陽光エネルギーシステム
パワーインバータ

エネルギー貯蔵システム
産業アプリケーション
UPS

インフォグラフィック - Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1Hモジュール

在庫のある製品

FF4MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1,200V、Rds On = 4mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- スイッチング損失が低い
- 低誘導設計
- 高電流密度
- 統合取付クランプによる堅牢な取付
- PressFITコンタクト技術
- NTC温度センサを内蔵
FF4MR12W2M1H_B70
- デュアル構成
- Easy 2B筐体
- VDSS = 1,200V、Rds On = 4mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- 低誘導設計
- スイッチング損失が低い
- 高電流密度
- 改善されたセラミック基板
- 統合NTC温度センサ
- PressFITコンタクト技術
- 一体型取り付けクランプによる堅牢な取り付け

FF6MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1,200V
- IDN = 150A/IDRM = 300A
- スイッチング損失が低い
- 低誘導設計
- 高電流密度
- 統合取付クランプによる堅牢な取付
- PressFITコンタクト技術
- NTC温度センサを内蔵
FF6MR12W2M1H_B70
- デュアル構成
- Easy 2B筐体
- VDSS = 1,200V、Rds On = 5.63mΩ
- IDN = 200A/IDRM = 400A
- 低誘導設計
- スイッチング損失が低い
- 高電流密度
- 改善されたセラミック基板
- 統合NTC温度センサ
- PressFITコンタクト技術
- 統合取付クランプによる堅牢な取付