IXYS 1700V XPT™高電圧IGBT
IXYS 1700V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTは、高電圧、高速電力変換アプリケーション用に設計されています。独自のthin-wafer XPT™技術を採用して開発されたこのIGBTは、熱抵抗、低テール電流、低エネルギー損失、高速スイッチング機能を実現しています。このデバイスの正の温度係数のオン状態電圧によって、設計者は並列にIGBTを使用できます。この機能を使用すると、関連するゲート駆動回路の削減、より簡単な設計、システム全体の信頼性の向上が可能になります。同梱の高速リカバリダイオードには、短い逆回復時間が備わっています。この高速リカバリダイオードは、滑らかなスイッチング波形に最適化されており、電磁干渉（EMI）の大幅に低減しています。
The devices' positive temperature coefficient of the on-state voltage enables designers to use the IGBTs in parallel. This capability allows a reduction in the associated gate drive circuitry, a simpler design, and an improvement in overall system reliability.
The co-packed fast recovery diodes offer low reverse recovery times. The fast recovery diodes are optimized for smooth switching waveforms and significantly lower electromagnetic interference (EMI).
特徴
- Thin wafer XPT technology
- Low on-state voltages VCE (sat)
- Co-packed fast recovery diodes
- Positive temperature coefficient of VCE (sat)
- International standard size high-voltage packages
- High efficiency
- Elimination of multiple series-connected devices
- Increased reliability of power systems
- High voltage package
- High blocking voltage
- Low saturation voltage
- Low gate drive requirement
- High power density
アプリケーション
- Switch-mode and resonant-mode power supplies
- High-voltage power supplies
- High-voltage test equipment
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Laser and X-ray generators
- Capacitor-discharge circuits
- AC switches
公開: 2017-07-10
| 更新済み: 2022-03-29