onsemi 650V EliteSiC(シリコンカーバイド)MOSFET

オンセミ (onsemi) 650V EliteSiCシリコンカーバイド (SiC) MOSFETは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する(新しい)技術を採用しています。さらに、オン抵抗の低減およびコンパクトなチップ・サイズにより、低容量とゲート電荷を保証します。その結果、最高の効率性、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。オンセミ (onsemi) TOLLパッケージは、ケルビンソース構成と寄生ソースインダクタンスの低減により、熱性能の向上と優れたスイッチング性能を提供します。TOLLは1 湿度感度レベル(MSL 1)を提供しています。

特徴

  • 接合部最高温度: 175°C
  • リードレス薄型SMDパッケージ
  • ケルビンソース構成
  • 超低ゲート電荷
  • 低効率出力キャパシタンス
  • ボディダイオードのゼロ逆回復電流
  • 低RDS(on)
  • 650V定格
  • 100%アバランシェ試験済み
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠
  • 湿度感度レベル1を保証

アプリケーション

  • 電気通信
  • クラウドシステム
  • 産業
  • テレコム電力
  • サーバー電源
  • UPS/ESS
  • ソーラー
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部品番号 データシート 説明
NTH4L016N065M3S NTH4L016N065M3S データシート SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
NVH4L016N065M3S NVH4L016N065M3S データシート SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
NTBL060N065SC1 NTBL060N065SC1 データシート SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
NTBL075N065SC1 NTBL075N065SC1 データシート SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
NTH4L012N065M3S NTH4L012N065M3S データシート SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L Auto
NVH4L012N065M3S NVH4L012N065M3S データシート SiC MOSFET EliteSiC, 12 mohm SiC M3S MOSFET, 650 V, TO247-4L INDUSTRIAL
公開: 2024-05-10 | 更新済み: 2024-07-25