onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

onsemi AFGB30T65RQDN絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載アプリケーションで最適な性能を発揮します。 大電流機能、高速スイッチング、高入力インピーダンス、厳格なパラメータ分布が特徴です。AFGB30T65RQDN IGBTは短絡電流定格を満たしており、導通損失とスイッチング損失が低く抑えられており、高い性能性能指数が備わっています。 AEC-Q101の認定、鉛フリーで、RoHS準拠です。代表的なアプリケーションには、HEV/EV用電動コンプレッサとHEV/EV用PTCヒーターなどがあります。

特徴

  • 最大ジャンクション温度(TJ):175°C
  • 簡単な並列操作のための正の温度係数
  • 大電流能力
  • 高入力インピーダンス
  • 高速スイッチング
  • 非常に小さいパラメータ分布のばらつき
  • 低飽和電圧:VCE(Sat) = 1.58V(代表値)(IC = 30A時)
  • AEC-Q101適合
  • 鉛フリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • HEV/EV用電動コンプレッサ
  • PTC PTCヒーター(HEV/EV用)
公開: 2025-11-04 | 更新済み: 2025-12-29