onsemi D1 EliteSiCダイオード
Onsemi D1 EliteSiCダイオードは、最新のパワーエレクトロニクス・アプリケーション向けに設計された、高性能で汎用性の高いソリューションです。Onsemi D1 の定格電圧は650V、1,200V、1,700Vです。これらのダイオードには柔軟性があり、さまざまな設計要件に適合します。D1 EliteSiCダイオードにはさまざまなパッケージがあります。設計者は、D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3などからパッケージを選択して基板スペースと熱性能を最適化できます。
特徴
- 電圧 650V、1200V、1700V
- パッケージ D2PAK2、D2PAK3、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3
- 熱抵抗を低く抑える大きなダイサイズ
- 高い非反復順方向サージ電流 (IFSM) 向けに最適化済み
- ウィーン整流器入力段アプリケーション
Onsemi D1 EliteSiCダイオードセレクタ
シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
シリコンベースのデバイスに優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
シリコンに比べて優れたスイッチング性能とさらに高い信頼性を実現しています。
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
EliteSiCについて
ソーラーインバータや電気自動車充電器のような要求の厳しいアプリケーションのニーズに対処できます。
公開: 2023-04-04
| 更新済み: 2024-08-29