onsemi 60mΩ(標準値)FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。このMOSFETは、6.9nC(代表値)の低ゲート電荷、-20Vのドレイン・ソース間電圧、±8Vのゲート・ソース間電圧、および1.2Wの電力損失を特徴としています。FDC642P-F085 小信号 MOSFETは、SUPERSOT™-6 パッケージで提供され、標準のSO-8 パッケージよりも72%小さいフットプリントと、厚さ1mmの薄型設計を採用しています。この小信号 MOSFETは、鉛フリー、RoHS準拠、AEC-Q101認定、PPAP対応の製品です。代表的なアプリケーションには、ロードスイッチ、バッテリ保護、電源管理などがあります。特徴
- 標準的なRDS(on):52.5mΩ(VGS = -4.5V、ID = -4A時)
- 標準的なRDS(on):75.3mΩ(VGS = -2.5V、ID = -3.2A時)
- 高速スイッチング速度
- 低ゲート電荷:6.9nC(代表値)
- 高性能トレンチ技術により、極めて低いRDS(on) を実現
- SUPERSOT™-6 パッケージ:
- 標準SO-8よりも72%小さい小フットプリント
- 厚さ1mmの薄型設計
- RoHS準拠および無鉛
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
アプリケーション
- 負荷スイッチ
- バッテリ保護
- 電源管理
仕様
- -20Vドレインソース間電圧
- ゲート・ソース間電圧:±8V
- 1.2W電力散逸
- 動作・ストレージ温度範囲:--55°C~+150°C
標準特性カーブ
その他の資料
アプリケーションノート
- AN-9056:Fairchild Semiconductor デュアルCool™ MOSFETの使用
- AN-4161:リニアモード動作時のトレンチ MOSFETの安定性に関する実施上の考慮事項
- AN-7515:単一パルス UIS 評価システムと反復 UIS 評価システムの統合
- AN-9005:高速スイッチング スーパージャンクション MOSFETの駆動とレイアウト設計
- AN1026:SuperSOT™-6 パワーMOSFETの最大電力向上技術
- AN-9067:LLC共振コンバータにおけるMOSFEの故障モード解析
- AN-6099:同期整流アプリケーションにおけるシステム効率と電力密度を向上させるシールドゲート技術を採用した新しいPowerTrench® MOSFET
- 7525:MicroFET™ パッケージ用 PCBランドパターン設計と表面実装ガイドライン
- AN-5232:高効率と低スイッチングノイズを実現する新世代スーパージャンクション MOSFET、SuperFET® IIおよびSuperFET® II イージードライブ MOSFET
- AN-9010/D:MOSFETの基礎
- AN-4163/D:シールドゲート POWERTRENCH MOSFET データシートの解説
- AN-9034:パワーMOSFET アバランシェ ガイドライン
公開: 2025-11-19
| 更新済み: 2025-11-27
