onsemi Nチャンネル80V車載用パワーMOSFET
onsemi Nチャンネル80V車載用パワーMOSFETは、8mm x 8mmフラットリード・パッケージでご用意があり、コンパクトで効率的な設計に最適です。シングルNチャンネル80Vデバイスは、1.1mΩRDS(on)（ドレイン-ソースON抵抗）が特徴です。MOSFETには、強化された光学検査向けのウェッタブルフランクオプションがあります。また、このデバイスは、AEC-Q101認定およびPPAP対応で、車載アプリケーションに最適です。
特徴
- 1.1mΩRDS(on)（ドレイン-ソース抵抗）
- 8mm x 8mmフラットリード・コンパクト設計
- SMD/SMTマウント形式
- 337a ID連続ドレイン電流
- 20V VGS（ゲート-ソース）
- 4V VGS th（ゲート-ソース閾値）
- 80V VDS（ドレイン-ソース絶縁破壊）
- 147nc Qg（ゲート電荷）
- 300W PD（電力散逸）
- 19ns下降時間
- 14ns上昇時間
- 66ns（標準）ターンオフ遅延
- 29ns（標準）ターンオン遅延
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- RoHS準拠
- 動作温度範囲: -55°C～+175°C
アプリケーション
- バッテリ逆挿入保護
- 電源（高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジなど）
- 負荷スイッチ（ECU、シャーシ、ボディ用）
Related MOSFETs
onsemi Trench8 MOSFET
MOSFETは、主な性能指数 (FOM) である低いRDS(ON) 、超低Qg 、低Qg×RDS(ON) を特徴としています。
公開: 2019-10-25
| 更新済み: 2024-02-15