onsemi NTH4L075N065SC1 57mohmシリコンカーバイド MOSFET

Onsemi  NTH4L075N065SC1 57mohm シリコンカーバイドMOSFET は、TO-247-4Lパッケージに収納され、高速かつ堅牢に設計されています。Onsemi  NTH4L075N065SC1 デバイスは、絶縁破壊電界強度が10倍、電子飽和速度が2倍高くなっています。MOSFETは、3倍の高エネルギーバンドギャップ、および3倍の高熱伝導率も備えています。すべての  onsemi  SiC MOSFET には、自動車、および産業用アプリケーション向けに特別に設計および認定された、AEC-Q101認定、およびPPAP対応オプションが含まれています。

特徴

  • 標準RDS(on) = 57m(VGS = 18V時)
  • 標準RDS (on) = 75m(VGS = 15V時)
  • 超低ゲート電荷(QG (tot) = 61nC)
  • 低出力容量(Coss = 107pF)
  • 100%アバランシェ試験済
  • TJ = 175°C
  • このデバイスはハロゲン化合物フリーで、RoHSに準拠(例外7a、鉛フリー(第2レベル相互接続時))

アプリケーション

  • SMPS(スイッチングモード電源)
  • ソーラーインバータ
  • UPS(無停電電源装置)
  • エネルギー貯蔵
公開: 2022-08-23 | 更新済み: 2024-06-19