onsemi NTMFS3D0N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET

Onsemi NTMFS3D0N08XシングルNチャンネル・パワーMOSFETは、80VT10標準ゲートMOSFETで、クラウドパワー、5Gテレコム、その他のPSUアプリケーション、およびDC/DCや産業用アプリケーションに最適です。NTMFS3D0N08Xは、より優れた性能を実現しており、システム効率の向上と高電力密度が備わっています。このMOSFETは、高速スイッチングアプリケーションでの全体的な効率の向上、スイッチング損失の改善、リンギング/オーバーシュート/ノイズの低減、アバランシェ耐久性の向上を実現しています。

特徴

  • 低QRR 、ソフトリカバリボディダイオード
  • 導通損失を最小限に抑える低RDS (on)
  • ドライバの損失を最小限に抑える低QG と容量
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • DC/DCおよびAC-DCでの同期整流(SR)
  • 絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ
  • モータドライブ

仕様

  • 80V最高ドレイン・ソース間電圧
  • ±20V最高ゲート・ソース間電圧
  • 109A ~ 154A最大連続ドレイン電流範囲
  • 133W 最大電力損失
  • 634A最大パルスドレイン/ソース電流
  • 201A最大ボディダイオードソース電流
  • 140mJ最大シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー
  • ゲート・ソース間リーク電流: 100nA (最大)
  • オン抵抗範囲での2.6mΩ ~ 5.2mΩ (最高)ドレイン・ソース間
  • 2.4V ~ 3.6Vゲート閾値電圧範囲
  • 順方向トランスコンダクタンス: 115S 標準
  • 66nC標準出力電荷
  • 28nC ~ 45nC (標準) の全ゲート電荷範囲
  • 10nC標準閾値ゲート電荷
  • ゲート・ソース間充電: 15nC標準
  • ゲート・ドレイン間充電: 7nC標準
  • ゲートプラトー電圧: 4.7V 標準
  • 0.8Ω標準ゲート抵抗
  • 標準スイッチング時間
    • 24nsターンオン遅延
    • 8ns立ち上がり
    • 35nsターンオフ遅延
    • 6ns立ち下がり
  • 標準容量
    • 3,200pF入力
    • 930pF 出力
    • 14pF逆方向転送
  • 熱抵抗
    • 1.12°C/W 接合部からケースまで
    • 接合部から周囲温度まで39°C/W
  • 動作接合部温度範囲: -55°C ~ +175°C
公開: 2024-02-19 | 更新済み: 2024-05-01