onsemi NTMFS3D0N08XシングルNチャンネルパワーMOSFET
Onsemi NTMFS3D0N08XシングルNチャンネル・パワーMOSFETは、80VT10標準ゲートMOSFETで、クラウドパワー、5Gテレコム、その他のPSUアプリケーション、およびDC/DCや産業用アプリケーションに最適です。NTMFS3D0N08Xは、より優れた性能を実現しており、システム効率の向上と高電力密度が備わっています。このMOSFETは、高速スイッチングアプリケーションでの全体的な効率の向上、スイッチング損失の改善、リンギング/オーバーシュート/ノイズの低減、アバランシェ耐久性の向上を実現しています。特徴
- 低QRR 、ソフトリカバリボディダイオード
- 導通損失を最小限に抑える低RDS (on)
- ドライバの損失を最小限に抑える低QG と容量
- 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- DC/DCおよびAC-DCでの同期整流(SR)
- 絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ
- モータドライブ
仕様
- 80V最高ドレイン・ソース間電圧
- ±20V最高ゲート・ソース間電圧
- 109A ~ 154A最大連続ドレイン電流範囲
- 133W 最大電力損失
- 634A最大パルスドレイン/ソース電流
- 201A最大ボディダイオードソース電流
- 140mJ最大シングル・パルス・アバランシェ・エネルギー
- ゲート・ソース間リーク電流: 100nA (最大)
- オン抵抗範囲での2.6mΩ ~ 5.2mΩ (最高)ドレイン・ソース間
- 2.4V ~ 3.6Vゲート閾値電圧範囲
- 順方向トランスコンダクタンス: 115S 標準
- 66nC標準出力電荷
- 28nC ~ 45nC (標準) の全ゲート電荷範囲
- 10nC標準閾値ゲート電荷
- ゲート・ソース間充電: 15nC標準
- ゲート・ドレイン間充電: 7nC標準
- ゲートプラトー電圧: 4.7V 標準
- 0.8Ω標準ゲート抵抗
- 標準スイッチング時間
- 24nsターンオン遅延
- 8ns立ち上がり
- 35nsターンオフ遅延
- 6ns立ち下がり
- 標準容量
- 3,200pF入力
- 930pF 出力
- 14pF逆方向転送
- 熱抵抗
- 1.12°C/W 接合部からケースまで
- 接合部から周囲温度まで39°C/W
- 動作接合部温度範囲: -55°C ~ +175°C
公開: 2024-02-19
| 更新済み: 2024-05-01
