onsemi NTMJS1D5N04CL 40V産業用パワーMOSFET
onsemi NTMJS1D5N04CL 40V産業用パワーMOSFETは、小型5mm x 6mmフットプリント、低RDS(on)、低ゲート電荷（Qg）、低静電容量が特徴です。低RDS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。他方、低QGと低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。このシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～175°Cの動作温度範囲が特徴です。
特徴
- 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
- 1.4mΩ @ 10V
- 2.2mΩ @ 4.5V
- 連続ドレイン (ID): 最大200A
- ドレイン-ソース電圧 (VDSS): 40V
- ゲート-ソース電圧 (VGS): ±20V
- ボディダイオードソース電流 (IS): 120A
- 低総ゲート電荷（QG(TOT)）: 32nC
- 入力静電容量 (CISS): 4300pF
- 出力静電容量 (COSS): 1900pF
- 逆回復時間 (tRR): 61ns
- 充電時間 (ta): 29ns
- 放電時間 (tD): 32ns
- 動作接合部温度 (TJ): -55°C～+175°C
- パッケージの種類: LFPAK-8
- PbフリーおよびRoHS準拠
アプリケーション
- スイッチモード電源
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置
- 誘導加熱機器
- モーター駆動
- 風力発電機
内部回路図
パッケージ寸法
関連製品
onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET
Optimized for on-resistance, switching process, and ruggedness.
onsemi シングルNチャンネルパワーMOSFET
低RDS(on)と低容量が備わっている、小型フットプリントとコンパクトな設計MOSFETです。
公開: 2019-08-23
| 更新済み: 2024-02-26