onsemi NTMYS010N04CL 40V産業用パワーMOSFET
onsemi NTMYS010N04CL 40V産業用パワーMOSFETは、小型5mm x 6mmフットプリント、低RDS(on)、低ゲート電荷（QG）、低静電容量が特徴です。低RDS(on)値は、伝導損失を最小限に抑えることに貢献します。低QGと低静電容量は、ドライバ損失を最小化します。このシングルNチャンネルパワーMOSFETは、無鉛でRoHSに準拠しており、-55°C～+175°Cの広い産業グレード動作温度範囲が特徴です。
特徴
- 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
- 10.3mΩ @ 10V
- 17.6mΩ @ 4.5V
- 連続ドレイン(ID）:最大38A
- ドレイン-ソース電圧 (VDSS): 40V
- ゲート-ソース電圧 (VGS): ±20V
- ボディダイオードソース電流 (IS): 24A
- 低総ゲート電荷（QG(TOT)）: 7.3nC
- 入力容量 (CISS): 570pF
- 出力容量 (COSS): 230pF
- 逆回復時間 (tRR): 18ns
- 充電時間 (ta): 9ns
- 放電時間 (tD): 9ns
- 動作接合部温度 (TJ): -55°C～+175°C
- LFPAK4パッケージ
- 無鉛、RoHS準拠
アプリケーション
- スイッチモード電源
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置
- 誘導加熱機器
- モーター駆動
- 風力発電機
内部回路図
パッケージ寸法
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公開: 2019-08-27
| 更新済み: 2024-02-27