onsemi NVBG070N120M3Sシリコンカーバイド(SiC) MOSFET

Onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETは、1200V M3SプレーナElite MOSFETで、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。このMOSFETには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能が備わっていますが、15Vゲートドライブでも良好に作動します。NVBG070N120M3S SiC MOSFETは、超低ゲート電荷57nC、低静電容量の57pF高速スイッチング、V_GS=18Vでの標準ドレイン－ソース間オン抵抗65mΩが特徴です。このMOSFETは、100%アバランシェ試験済、AEC-Q101認定、PPAP対応です。NVBG070N120M3S SiC MOSFETは、D2PAK-7Lパッケージでご用意があり、無鉛2LI（2レベル間）およびRoHS準拠（除外7a）です。主なアプリケーションは、自動車用オンボードチャージャーおよびEV/HEV用DC/DCコンバータなどです。