onsemi NVH4L095N065SC1炭化ケイ素(SIC)MOSFET

onsemi NVH4L095N065SC1 シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、スイッチング性能と信頼性を向上させる先進技術を採用しています。 onsemi NVH4L095N065SC1は、オン抵抗が低く、チップサイズがコンパクトであるため、静電容量とゲートチャージが低減されます。 このデバイスはまた、高効率、高速動作、電力密度の向上、EMIの低減、およびシステムサイズの小型化を実現しています。

特徴

  • 標準RDS (on) = 70m @ VGS = 18V
  • 標準RDS (on) = 95m @ VGS = 15V
  • 超低ゲート電荷(QG (tot) = 50nC)
  • 低出力容量(Coss = 89pF)
  • 100%アバランシェ試験済み
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • 鉛フリーおよびRoHS準拠

アプリケーション

  • 車載用オンボード充電器
  • 車載用DC/DCコンバータ(EV/HEV用)
公開: 2023-11-08 | 更新済み: 2024-06-18