onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFET
Onsemi NVMFDx 100VデュアルNチャンネルパワーMOSFETは、効率性が高くコンパクトなソリューションで、要求の厳しいパワースイッチングアプリケーション用に設計されています。これらのMOSFETは、低RDS (on) 値と高速スイッチング特性を特徴としているため、onsemi NVMFDxはDC/ DCコンバータ、モータドライブ、バッテリ管理システムでの使用に最適です。省スペースDFN-8パッケージに格納されているこれらのMOSFETは、高電流処理と熱性能をサポートしており、車載、産業、民生用電子機器に重要です。各型式には、さまざまな電流および抵抗特性が備わっており、高性能パワーシステムでの効率性と信頼性の向上を目的に堅牢なアバランシェエネルギー定格と低ゲート電荷を維持しながら、特定の設計ニーズに適しています。特徴
- コンパクト設計のための5mm×6mmの小型 フットプリント
- 導通損失を最小限に抑える低RDS (on)
- ドライバ損失を最小限に抑えるための低いQG と静電容量
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- ウェッタブルフランク付きDFN-8パッケージ
- 無鉛、ハロゲンフリー/BFRフリー、ベリリウムフリー
- RoHS準拠
アプリケーション
- 車載システム
- 電動パワーステアリング
- LED照明
- 電子制御装置(ECU)
- DC/DCコンバータ
- ポイントオブロード(POL)コンバータ
- 中間バスアーキテクチャ
- モーター制御
- ロボティクス
- オートメーション
- バッテリ管理
- バッテリ保護
- 充電回路
- 電源
仕様
- ドレイン・ソース破壊電圧:100V
- ドレイン-ソース間抵抗範囲:10.4mΩ~39mΩ
- 20Vゲート-ソース電圧
- ゲート-ソース間閾値電圧 3V
- 連続ドレイン電流範囲 21A~61A
- 消費電力範囲: 36W ~ 84W
- ゲート電荷範囲:4nC ~ 26nC
- ターンオン遅延時間範囲: 4.6ns ~ 11ns (typ)
- 立ち上がり時間範囲 :1.7ns~5.2ns
- ターンオフ遅延時間範囲: 15ns ~ 32ns (typ)
- 3ns ~ 5.5ns下降時間範囲
- 動作温度範囲:-55°C~+175°C
- ピークはんだ付け温度:+260°C
回路図
公開: 2025-05-29
| 更新済み: 2025-06-08
