onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET

Onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFETは、効率性の高いデバイスで、要求の厳しい電力管理アプリケーションを対象に設計されています。コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに格納されているNVMFS4C03NWFET1Gは、優れた熱性能、および10Vで最低0.9mΩまでの低RDS (on) を発揮するため、このMOSFETは大電流回路での導通損失の最小化に最適です。このonsemi MOSFETは、高速スイッチング速度に対応しており、DC-DCコンバータ、同期整流、負荷スイッチング、モータ制御アプリケーションでの使用を目的に最適化されています。堅牢な設計と高アバランシェエネルギー定格によってNVMFS4C03NWFET1Gは、信頼性と効率性が重要になるテレコム、サーバ、産業用電源システムでの使用に適しています。NVMFS4C03NWFET1Gには、性能、サイズ、耐久性のバランスが備わっており、現代のパワーエレクトロニクスにとって汎用性の高い選択です。

特徴

  • コンパクト設計のための小型5mm x 6mmフットプリント
  • 導通損失を最小限に抑える低RDS (on)
  • ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量
  • 光学検査を強化するウェッタブルフランク
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • DC/DCコンバータ
  • 同期整流
  • ロードスイッチング
  • モーター制御
  • テレコム電力システム
  • サーバとデータセンターの電力管理
  • バッテリ管理システム(BMS)

仕様

  • 最大ドレイン-ソース電圧:30V
  • 最大ゲート-ソース間電圧:±20V
  • 最大連続ドレイン電流範囲:34.9A~159A
  • 最大電力散逸範囲:3.71W~77W
  • 最大パルスドレイン電流:900A
  • 最大ボディダイオードソース電流:64A
  • 最大シングルパルスドレイン-ソースアバランシェエネルギー:549mJ
  • SO-8 FLパッケージ
  • 最大ドレイン-ソース間オン抵抗
    • 1.7mΩ(10V時)
    • 2.4mΩ(4.5V時)
  • 動作接合部温度範囲:-55°C~+175°C
  • 最大はんだ付けリード温度:+260°C
  • 最大熱抵抗
    • 1.95°C/W接合部-ケース、定常状態
    • 40°C/W接合部-周囲、定常状態
公開: 2025-06-02 | 更新済み: 2025-06-23