onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFET
Onsemi NVMFS4C03NWFET1GシングルNチャネルパワーMOSFETは、効率性の高いデバイスで、要求の厳しい電力管理アプリケーションを対象に設計されています。コンパクトな5mm x 6mm PowerFLATパッケージに格納されているNVMFS4C03NWFET1Gは、優れた熱性能、および10Vで最低0.9mΩまでの低RDS (on) を発揮するため、このMOSFETは大電流回路での導通損失の最小化に最適です。このonsemi MOSFETは、高速スイッチング速度に対応しており、DC-DCコンバータ、同期整流、負荷スイッチング、モータ制御アプリケーションでの使用を目的に最適化されています。堅牢な設計と高アバランシェエネルギー定格によってNVMFS4C03NWFET1Gは、信頼性と効率性が重要になるテレコム、サーバ、産業用電源システムでの使用に適しています。NVMFS4C03NWFET1Gには、性能、サイズ、耐久性のバランスが備わっており、現代のパワーエレクトロニクスにとって汎用性の高い選択です。特徴
- コンパクト設計のための小型5mm x 6mmフットプリント
- 導通損失を最小限に抑える低RDS (on)
- ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量
- 光学検査を強化するウェッタブルフランク
- AEC-Q101認定およびPPAP対応
- 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー
- RoHS準拠
アプリケーション
- DC/DCコンバータ
- 同期整流
- ロードスイッチング
- モーター制御
- テレコム電力システム
- サーバとデータセンターの電力管理
- バッテリ管理システム(BMS)
仕様
- 最大ドレイン-ソース電圧:30V
- 最大ゲート-ソース間電圧:±20V
- 最大連続ドレイン電流範囲:34.9A~159A
- 最大電力散逸範囲:3.71W~77W
- 最大パルスドレイン電流:900A
- 最大ボディダイオードソース電流:64A
- 最大シングルパルスドレイン-ソースアバランシェエネルギー:549mJ
- SO-8 FLパッケージ
- 最大ドレイン-ソース間オン抵抗
- 1.7mΩ(10V時)
- 2.4mΩ(4.5V時)
- 動作接合部温度範囲:-55°C~+175°C
- 最大はんだ付けリード温度:+260°C
- 最大熱抵抗
- 1.95°C/W接合部-ケース、定常状態
- 40°C/W接合部-周囲、定常状態
公開: 2025-06-02
| 更新済み: 2025-06-23
