onsemi NVMFWS0D4N04XMシングルNチャネルパワーMOSFET

オンセミ (onsemi) NVMFWS0D4N04XMシングルNチャネルパワーMOSFETは、コンパクトな5mm × 6mmのSO8-FLパッケージで提供されています。これらのMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧40V、ゲート・ソース間電圧±20V、電力損失197W(TC=25°C)を備えています。NVMFWS0D4N04XM パワーMOSFETは、低抵抗(RDS(on))によって導通損失を最小化し、低静電容量によってドライバ損失を最小化します。これらはAEC-Q101認定MOSFETおよびPPAP対応です。NVMFWS0D4N04XM パワーMOSFETは、Pbフリー、ハロゲン/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションは、モータ駆動、バッテリ保護、逆バッテリ保護、同期整流、スイッチング電源、電源スイッチなどです。

特徴

  • 導通損失を低減する低R DS(on)
  • 低静電容量によってドライバ損失を最小化
  • AEC-Q101適合
  • PPAPに対応
  • Pbフリー、ハロゲン/BFRフリー
  • RoHS準拠
  • 小型の5mm x 6mm SO8-FLパッケージ

アプリケーション

  • モーター ドライブ
  • バッテリ保護
  • 同期整流
  • バッテリ逆挿入保護
  • スイッチング電源
  • パワー・スイッチ(ハイ・サイド・ドライバ、ロー・サイド・ドライバ、Hブリッジなど)

仕様

  • ドレイン-ソース間電圧:40V
  • ゲート-ソース間電圧:±20V
  • 電力損失(TC=25°C): 197W
  • 2396mJシングル・パルス・アバランシェ・エネルギー
  • 動作接合部および保存温度範囲 -55°C~175°C

シングルNチャネルMOSFET

onsemi NVMFWS0D4N04XMシングルNチャネルパワーMOSFET
公開: 2026-02-25 | 更新済み: 2026-04-09