onsemi Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (R_DS(ON)) 、超低ゲート充電 (Q_g) 、低 (Q_g) ×R_DS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQ_g とQ_oss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。

特徴

AEC-Q101認定・PPAP対応オプションでご用意あり
導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えるために最適化された設計
寄生インダクタンスを最小限に抑えるために最適化されたパッケージ
熱性能を向上させるように最適化された材質
ドレイン‐ソース破壊電圧範囲 (V_DS) ：25V～80V
連続ドレイン電流範囲 (I_D) ：11.6A～351A
ドレイン‐ソース間オン抵抗範囲 (R_DS(ON)) ：0.7mΩ ～55mΩ
ゲート‐ソース間電圧 (V_GS) ：±20V
ゲート‐ソース間閾値電圧範囲 (V_GS(TH)) ：1.1V～4.0V
ゲート充電範囲 (Q_g) ：4.7nC～166nC

電力損失範囲 (P_d) ：860mW～311W
パッケージオプション：
- DFN-5、 DFN-8、 DFNW-8、 H-PSOF-8、 PQFN-8、 SO-8、 SO-8FL、 SO-FL-8L、 WDFN-6、 WDFN-8、 WQFN-12
- ウェッタブルフランク（オプション）でもご用意あり
動作および接合部温度範囲
- 工業: -55°C～+125°C
- 車載: -55°C～+150°C
無鉛、RoHS準拠