ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社の RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFETは、ドレイン-ソース電圧-60V(VDSS)、および連続ドレイン電流±36A (ID) 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)] は、(最大) 41mΩ (VGS = -10V、ID = -20A) で、3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) パッケージに収められています。ローム株式会社の RH7L04CBJFRA MOSFETは、先進運転支援システム (ADAS) 、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。

特徴

  • ウェッタブルフランク製品
  • AEC-Q101認定を取得済
  • 100%アバランシェ試験済

アプリケーション

  • ADAS
  • 情報
  • 照明
  • ボディ

仕様

  • ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
    • (最大) 41mΩ (VGS = -10V、ID = -20A)
    • (最大) 47mΩ (VGS = -4.5V、ID = -10A)
  • 消費電力:62W (PD)
  • 全ゲート電荷 (Qg)
    • (標準) 35.0nC (VDD = -30V、ID = -10A、VGS = -10V)
    • (標準) 16.0nC (VDD = -30V、ID = -10A、VGS = -4.5V)
  • 接合部温度+175°C(Tj

回路図

回路図 - ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET

パッケージ図

機械図面 - ROHM Semiconductor RH7L04CBJFRA -60V PチャンネルパワーMOSFET
公開: 2025-07-25 | 更新済み: 2025-08-19