ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFET
ローム株式会社の RQ3G120BKFRA 40V NチャンネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース電圧40V (VDSS)、および連続ドレイン電流±12A (ID) 定格車載グレードMOSFETで、AEC-Q101の認定を受けています。ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)] は、(最大) 17.4mΩ (VGS = 10V、ID = 12A) で、3.3mm x 3.3mm HSMT8AGパッケージに収められています。ローム株式会社の RQ3G120BKFRA MOSFETは、ADAS、情報、照明、ボディアプリケーションに最適です。
特徴
- 小型の高駆動パッケージによって、実装領域を最大64%削減
- AEC-Q101認定を取得済
- 元の端子とメッキ処理によって高い実装信頼性を実現
アプリケーション
- ADAS
- 情報
- 照明
- ボディ
仕様
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 [RDS(ON)]
- (最大) 17.4mΩ (VGS = 10V、ID = 12A)
- (最大) 28,0mΩ (VGS = 4.5V、ID = 6A)
- 消費電力: 40W (PD)
- 全ゲート電荷 (Qg)
- (標準) 8.5nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 10V)
- (標準) 4.8nC (VDD = 20V、ID = 10A、VGS = 4.5V)
- 接合部温度+150°C (T j)
回路図
パッケージ図
公開: 2025-07-25
| 更新済み: 2025-08-19