ROHM Semiconductor TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオード
ROHM Semiconductor TO-220ACGシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、650V～1200Vの逆方向電圧範囲および1.2µA～20.0µAの連続逆方向電流範囲が特徴です。また、SiCテクノロジーの活用によって低静電容量性電荷（QCを維持できるため、高速スイッチング動作に対応しながらスイッチング損失の低減を実現します。さらに、温度の上昇とともに逆方向回復に要する時間（リカバリ時間）も長くなるSiバンド高速リカバリダイオードとは異なり、SiCは一貫した特性を維持するため良好な性能をもたらします。
ROHM Semiconductor TO-220ACG SiCショットキーバリアダイオードは、175°Cまでの最高ジャンクション温度が特徴です。
特徴
- リカバリ時間が短い
- 温度依存性が少ない
- 高速スイッチング
- 650V～1200V逆方向電圧範囲（VR）
- 5A～20A連続順方向電流範囲（IF）
- 88W～210W総消費電力（PD）
- 順方向サージ電流に対して23A～79A（IFSM）
- 1.2µA～20.0µA連続逆方向電流範囲（IR）
- 9nC～65nC総静電容量電荷範囲（Qc）
- 12ns～19nsスイッチング時間（TC）
- 175°C（最高）ジャンクション温度（Tj）
- -55°C～+175°C保管温度範囲（Tstg）
- TO-220ACGパッケージ
アプリケーション
- PFCブーストトポロジ
- 2次側整流
- データセンター
- PVパワーコンディショナ
関連製品
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破壊電圧600Vを供給します。これは、シリコンSBDSの上限を大きく上回っています。
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シリコン（Si）/カーボン（C）ベースの電力デバイスで、シリコンデバイスよりも高い性能が備わっています。
ピン配列と内部回路
パッケージの外形
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| 部品番号 | データシート | If - 順電流（Forward Current） | Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage） | Vf - 順電圧（Forward Voltage） | Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current） | Ir - 逆電流（Reverse Current） |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS215KGC17 |  |
15 A | 1.2 kV | 1.6 V | 62 A | 300 uA |
| SCS205KGC17 | |
5 A | 1.2 kV | 1.6 V | 23 A | 100 uA |
| SCS215AGC17 | |
15 A | 650 V | 1.55 V | 52 A | 300 uA |
| SCS208AGC17 | |
8 A | 650 V | 1.55 V | 30 A | 160 uA |
| SCS210KGC17 | |
10 A | 1.2 kV | 1.6 V | 42 A | 200 uA |
| SCS220KGC17 | |
20 A | 1.2 kV | 1.6 V | 79 A | 400 uA |
| SCS210AGC17 | |
10 A | 650 V | 1.55 V | 38 A | 200 uA |
| SCS212AGC17 | |
12 A | 650 V | 1.55 V | 43 A | 240 uA |
| SCS220AGC17 | |
20 A | 650 V | 1.55 V | 68 A | 400 uA |
| SCS206AGC17 | |
6 A | 650 V | 1.55 V | 23 A | 120 uA |
公開: 2021-10-29
| 更新済み: 2022-03-11