STMicroelectronics GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバ
STマイクロエレクトロニクス (STMicroelectronics) の GANSPIN612 ハーフブリッジ GaN モータードライバは、最先端の高耐圧・高周波ゲートドライバによって駆動されるハーフブリッジ構成のエンハンスメントモード GaN トランジスタ 2 個を統合した、高度なシステム・イン・パッケージ（SiP）です。内蔵されたパワーGaNは、270mΩのRDS(ON) と650Vのドレイン・ソース間降伏電圧を備えており、ブートストラップダイオードが内蔵されているため、組み込まれたゲートドライバのハイサイドへ容易に供給を行うことができます。
モーション制御向けに設計された GANSPIN612 は、ハードオン／ハードオフのいずれにおいても、出力 dV/dt を 10V/ns（代表値）に最適化しています。この機能は、EMI、モータ巻線、およびボールベアリングの信頼性確保のために、モーター制御において必要とされます。GANSPIN612 は、9mm × 9mm × 1mm のコンパクトな QFN パッケージで提供され、−40°C から +125°C の産業用温度範囲で動作します。
GaNSPIN612は、GaNSPIN611［RDS(ON) 138mΩ］とピン互換性があり、プラットフォームアプローチにおいてスケーラビリティを最大限に引き出します。
特徴
- 高耐圧ゲートドライバとともに、ハーフブリッジ構成の高耐圧 GaN トランジスタを統合したパワー SiP ファミリ
- RDS(ON) = 270mΩ
- IDS(MAX) = 5.5A
- 逆導通能力とゼロ逆回復損失
- ハードオンとハードオフの両方での10V/ns（標準）出力dV/dt、モータ制御用にカスタマイズ
- 高圧側および低圧側ドライバ供給電圧の安定化を図るリニアレギュレータ
- 外部調整可能なターンオンdV/dt
- 内蔵ブートストラップダイオード
- スマートシャットダウン機能が搭載された過電流検出用コンパレータ
- VCC、VHS、およびVLSに対するUVLO保護
- インターロッキング機能、シャットダウン、スタンバイ、障害ピン
- 全体的な150ns（標準）出力伝搬遅延につながる55nsゲートドライバ
- ヒステリシスおよびプルダウンが備わった3.3V ~ 20V互換入力
アプリケーション
- 家電製品
- コンプレッサ
- ポンプ
- ファン
- パーソナルケア家電
- ファクトリーオートメーション
- サーボ駆動
- 動力工具
アプリケーション図
ブロック図
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公開: 2026-03-11
| 更新済み: 2026-04-10